3.4 本章小结

3.4  本章小结

通过本章的学习，读者应该了解并掌握如下内容：

（1）数字电路的基本单元为逻辑门电路，而晶体管又是逻辑门的基本器件。利用晶体管的开关特性可以构成与门﹑或门﹑非门﹑与非门﹑或非门﹑与或非门﹑异或门等各种逻辑门电路，也可以构成在电路结构和特性两方面都具有特色的三态门和传输门等。随着集成电路技术的飞速发展，分立元件的数字电路逐渐已被TTL等集成电路所取代。

（2）TTL电路的优点是开关速度较高，抗干扰能力较强，带负载能力也较强。缺点是功耗较大。

（3）C MOS电路具有制造工艺简单﹑集成度高﹑输入阻抗高﹑功耗小﹑电源电压范围宽等优点。其主要缺点是工作速度较低。

（4）在学习本章时，要重点掌握门电路的外特性和主要参数，了解不同类型逻辑门的性能特点；熟练掌握各种门电路的逻辑关系；熟习TTL、MOS逻辑门电路的电路结构﹑工作原理和逻辑功能。

3.5  练  习  题

1．已知二极管D₁、D₂导通压降为0.7V，试分析图3-61所示的简单电路，回答：

（1）电路完成什么逻辑运算？

（3）A、B都接10V，输出V_O为多少？

（4）A接10V，B悬空，用万用表测B端的电压，V_B是多少？（万用表的内阻为20kW/V）

（5）A接0.3V，B悬空，用万用表测B端电压为多少？

2．有两个TTL与非门，测得它们的关门电平分别为U_OFFA=1.1V，U_OFFB=0.9V；开门电平为U_ONA=1.3V，U_ONB=1.7V。它们输出的高低电平都相同，哪个门的抗干扰能力强？

3．图3-62电路中，A、B为两个集电极开路与非门，接成线与的形式，每个门在输出低电平时允许注入的最大电流为13mA，输出高电平时的漏电流小于250A，C、D、E为3个TTL与非门，它们的输入端个数分别是1个，2个，和3个，且全部并联起来使用。已知TTL与非门的输入电流为1.6mA，输入漏电流小于50A，E_C=5V，问R_L应选多大？

4．在TTL集成门电路中，采用了哪些措施加速清除饱和晶体管的存储电荷，以提高工作速度？

图3-62  某逻辑电路图

5．用C MOS门实现逻辑函数F=（AB）'+C。