半导体二极管是由PN结的P区和N区分别引出两根电极引线,并加上管壳封装而成,简称为二极管。二极管的外形、结构、符号如图5-12所示。
(a)点接触型 (b)平面型
(c)面接触型 (d)符号
图5-12 二极管的外形、结构及符号
二极管的类型很多,按制造二极管的材料分,有硅二极管和锗二极管。从管子的结构来分,有以下几种类型:
(1)点接触型二极管。
(2)面接触型二极管。
(3)硅平面型二极管。
正向电压低于某一数值时,正向电流很小,只有当正向电压高于某一值后,才有明显的正向电流。该电压称为导通电压,又称为门限电压或死区电压,用Uon表示。在室温下,硅管的Uon为0.6~0.8V,锗管的Uon为0.1~0.3V。通常认为,当正向电压U<Uon时,二极管截止;U>Uon时,二极管导通。
二极管加反向电压,反向电流数值很小,且基本不变,称反向饱和电流。硅管反向饱和电流为纳安(nΑ)数量级,锗管为微安数量级。当反向电压加到一定值时,反向电流急剧增加,产生击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上(高反压管可达几千伏)。
二极管的特性对温度很敏感,温度升高,正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。其规律是:在室温附近,在同一电流下,温度每升高1℃,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10℃,反向电流约增大一倍。其特性图如图5-13所示。
图5-13 二极管的特性
(1)最大整流电流IF。它是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于IF,如超过IF二极管将过热而烧毁。此值取决于PN结的面积、材料和散热情况。
(2)最大反向工作电压UR。这是二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时,二极管可能被击穿。为了留有余地,通常取击穿电压的一半作为UR。
(3)反向电流IR。指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越好。由于反向电流是由少数载流子形成,所以IR值受温度的影响很大。
(4)最高工作频率fM。fM的值主要取决于PN结结电容的大小, 结电容越大,则二极管允许的最高工作频率越低。
(5)二极管的直流电阻RD。加到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比,称为二极管的直流电阻RD,即
(5.3.1)
(6)二极管的交流电阻rd。在二极管工作点附近,电压的微变值ΔU与相应的微变电流值ΔI之比,称为该点的交流电阻rd,即
(5.3.2)
从其几何意义上讲,当ΔU→0时
(5.3.3)
二极管的运用基础,就是二极管的单向导电特性。因此在应用电路中,关键是判断二极管的导通或截止。二极管可用来进行整流、钳位、限幅等各项工作。
所谓整流,就是将交流电变为单方向脉动的直流电。利用二极管的单向导电性可组成单相、三相等各种形式的整流电路,然后再经过滤波、稳压,便可获得平稳的直流电。这些内容将在第12章详细地介绍。
当输入信号电压在一定范围内变化时,输出电压随输入电压相应变化;而当输入电压超出该范围时,输出电压保持不变,这就是限幅电路。通常将输出电压uo开始不变的电压值称为限幅电平,当输入电压高于限幅电平时,输出电压保持不变的限幅称为上限幅;当输入电压低于限幅电平时,输出电压保持不变的限幅称为下限幅。限幅电路如图5-14所示。改变E值就可改变限幅电平。
钳位电路是指输出电压(电位)被钳在某一设计的电位上。电路如图5-15所示。
图5-14 单向限幅电路 图5-15 二极管钳位电路
图5-15中,若A点UA=0V,二极管VD可正向导通,其压降很小,故F点的电位也被钳制在0V左右,即UF≈0V。
发光二极管的符号如图5-16(a)所示。它是一种将电能直接转换成光能的固体器件。
光电二极管的符号如图5-16(b)所示。光电二极管光照增强时,外加反偏压作用下,反向电流增加。
如果把发光二极管和光电二极管组合构成二极管型光电耦合器件,符号如图5-16(c)所示。
(a) (b) (c)
图5-16 几种常见的二极管
硅稳压二极管简称稳压管,是一种特殊的二极管,它与电阻配合具有稳定电压的特点。稳压管的伏安特性曲线和符号如图5-17所示。
(a)伏安特性 (b)符号
图5-17 稳压管伏安特性和符号
从特性曲线可以看到:稳压管正向偏置时,其特性和普通二极管一样;反向偏置时,开始一段和二极管一样,当反向电压达到一定数值以后,反向电流突然上升,而且电流在一定范围内增长时,二极管两端电压只有少许增加,变化很小,具有稳压性能。这种“反向击穿”是可恢复的,只要外电路限流电阻保障电流在限定范围内,就不致引起热击穿而损坏稳压管。
稳压管的主要参数:稳定电压、稳定电流、动态电阻、额定功耗等。